परिचय
आईसी इलेक्ट्रॉनिक उत्पादों का दिल हैं, लेकिन सेमीकंडक्टर आपूर्ति श्रृंखला में वैश्विक उतार-चढ़ाव की पृष्ठभूमि में, उच्च गुणवत्ता वाले नकली चिप्स और नवीनीकृत उपकरण धीरे-धीरे बाजार में प्रवेश कर रहे हैं। यह उच्च परिशुद्धता वाले इलेक्ट्रॉनिक उत्पादों के निर्माण के लिए महत्वपूर्ण गुणवत्ता जोखिम पैदा करता है। पीसीबीए निर्माण में, नवीनीकृत या उच्च गुणवत्ता वाले नकली आईसी के उपयोग से उत्पाद डिबगिंग में विफलता से लेकर अंतिम उपयोगकर्ता ऑपरेशन के दौरान समय से पहले विफलता तक कुछ भी हो सकता है, जिससे ब्रांड प्रतिष्ठा को गंभीर नुकसान हो सकता है।
इन नकली घटकों को दूर रखने के लिएप्रोडक्शन लाइन, उद्योग के भीतर गुणवत्ता नियंत्रण उपायों को लगातार उन्नत किया जाना चाहिए। चिप डिकैप्सुलेशन, विनाशकारी भौतिक विश्लेषण की एक महत्वपूर्ण विधि के रूप में, उच्च गुणवत्ता वाले नकली और नवीनीकृत चिप्स के खिलाफ अत्यधिक प्रभावी भौतिक रक्षा के रूप में कार्य करता है। नीचे, हम बताएंगे कि यह निरीक्षण तकनीक सूक्ष्म स्तर पर पीसीबीए गुणवत्ता की सुरक्षा कैसे करती है।
चिप डिकैप्सुलेशन के मूल सिद्धांत और भौतिक प्रक्रियाएं
डिकैप्सुलेशन को रासायनिक डिकैप्सुलेशन के रूप में भी जाना जाता है। इसका प्राथमिक उद्देश्य आंतरिक वेफर या वायर बॉन्ड को नुकसान पहुंचाए बिना चिप की सतह को कवर करने वाले एपॉक्सी मोल्डिंग कंपाउंड को हटाना है {{1}जिससे आंतरिक माइक्रोस्ट्रक्चर पूरी तरह से उजागर हो जाता है।
व्यवहार में, निरीक्षण तकनीशियन स्वचालित डीकैप्सुलेशन मशीनों या उच्च -शुद्धता वाले मजबूत एसिड का उपयोग करते हैं। सबसे अधिक उपयोग किए जाने वाले एजेंट फ्यूमिंग नाइट्रिक एसिड और केंद्रित सल्फ्यूरिक एसिड हैं, जिनका तापमान 60 से 90 डिग्री सेल्सियस और सांद्रता 90% से अधिक है। मजबूत एसिड तेजी से ऑक्सीकरण करते हैं और एपॉक्सी इनकैप्सुलेंट को भंग कर देते हैं, जबकि आंतरिक सिलिकॉन वेफर, सिलिकॉन डाइऑक्साइड ढांकता हुआ परत और निष्क्रियता परत इन एसिड के लिए अत्यधिक उच्च प्रतिरोध प्रदर्शित करते हैं। सटीक रूप से नियंत्रित रासायनिक प्रतिक्रिया के बाद, नमूने को एक का उपयोग करके साफ किया जाता हैपारस्वनिक मार्जकनिर्जल इथेनॉल के साथ. फिर तकनीशियन वेफर को उजागर करके और सभी लीडों को बरकरार रखते हुए एक चिप का नमूना प्राप्त करते हैं, और इसे बाद के सूक्ष्म निरीक्षण के लिए भौतिक रूप से तैयार करते हैं।
गोल्ड वायर बॉन्डिंग और फ्रेम मॉर्फोलॉजी का सूक्ष्म निरीक्षण
रासायनिक डिकैप्सुलेशन पूरा होने के बाद, तकनीशियन एक उच्च आवर्धन मेटलोग्राफिक माइक्रोस्कोप के तहत नमूने की जांच करते हैं, जिसे आमतौर पर 100x और 1,000x के बीच आवर्धन पर सेट किया जाता है। सूक्ष्म निरीक्षण में पहला कदम तार बंधन और फ्रेम संरचना पर केंद्रित है। नवीनीकृत चिप्स को अक्सर द्वितीयक प्रसंस्करण से गुजरना पड़ता है। माइक्रोस्कोप के तहत, यदि आंतरिक फ्रेम प्लेटिंग पर छीलने, खरोंच, या माध्यमिक तार बंधन के निशान देखे जाते हैं, तो यह दृढ़ता से सुझाव देता है कि डिवाइस संभवतः एक पुनर्नवीनीकरण भाग है। विशेष रूप से, सोने या तांबे के तार के बंधन बिंदुओं पर, एक सामान्य चिप की बंधन गेंदें वेफर पैड के तंग संपर्क के साथ पूर्ण, चिकनी और गोलाकार होती हैं। इसके विपरीत, नवीनीकृत उपकरण अक्सर विकृत बॉन्डिंग बॉल, क्षतिग्रस्त पैड, या यहां तक कि पिछले सोल्डरिंग से अवशिष्ट इंटरमेटेलिक यौगिक मलबे को प्रदर्शित करते हैं। ये सूक्ष्म भौतिक विकृतियाँ और अवशेष 1,000x आवर्धक कांच के नीचे स्पष्ट रूप से दिखाई देते हैं।
वेफर सिल्कस्क्रीन और लेआउट सुविधाओं का तुलनात्मक विश्लेषण
नकली चिप्स से बचाव का सबसे कठिन पहलू बाहरी सिल्कस्क्रीन चिह्नों की जालसाजी है; लेजर मार्किंग मशीनें पैकेज पर मॉडल नंबर और बैच नंबर को आसानी से दोहरा सकती हैं। हालाँकि, डी-कैप्स निरीक्षण चिप के "डीएनए" के प्रत्यक्ष अवलोकन की अनुमति देता है: वेफर लेआउट। डी{3}कैप्ड वेफर को स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोप या हाई{4}आवर्धन माइक्रोस्कोप के नीचे रखकर, तकनीशियन वेफर की सतह पर सूक्ष्म सर्किट लाइनों और सिल्कस्क्रीन चिह्नों (यानी, डाई मार्क) को स्पष्ट रूप से देख सकते हैं। विनिर्माण के दौरान, वैध वेफर फैब डिजाइन कंपनी का लोगो, वेफर कोड, लेआउट संस्करण संख्या और कॉपीराइट वर्ष को वेफर के किनारे या विशिष्ट क्षेत्रों पर अंकित करते हैं। इन सूक्ष्म स्क्रीन मुद्रित चिह्नों की लाइन चौड़ाई आम तौर पर माइक्रोमीटर से कम होती है। चूंकि उच्च गुणवत्ता वाले नकली चिप्स अक्सर कार्यात्मक प्रतिस्थापन के लिए कम अंत वाले वेफर्स का उपयोग करते हैं, उनकी वेफर स्क्रीन प्रिंटिंग, फोटोलिथोग्राफ़िक पैटर्न और सर्किट लेआउट अनिवार्य रूप से वास्तविक, मूल चिप्स से काफी भिन्न होंगे। मूल निर्माता के आधिकारिक डेटाबेस या मानक संदर्भ नमूनों के विरुद्ध परीक्षण नमूने के डाई मार्क की पिक्सेल स्तर की तुलना करके, चिप की प्रामाणिकता तुरंत निर्धारित की जा सकती है।
माइक्रोक्रैक और ईएसडी क्षति के कारण हुई विफलताओं की गहराई से जांच
डी-कैप्स परीक्षण का उपयोग न केवल प्रामाणिकता सत्यापन के लिए किया जाता है, बल्कि पीसीबीए विफलता विश्लेषण में भी यह एक अनिवार्य तरीका है। पीसीबीए निर्माण के डिबगिंग चरण के दौरान, यदि कार्यात्मक दोष सामने आते हैं और आईसी क्षति का संदेह होता है, तो माइक्रोस्कोप के तहत भौतिक क्षति का निरीक्षण करने के लिए डी{2}}कैप्स परीक्षण किया जा सकता है। लंबे समय से सेवा में रहे नवीनीकृत चिप्स में अक्सर आंतरिक रूप से सूक्ष्म दरारें जमा हो जाती हैं। ये दरारें अधिकतर वेफर किनारों पर या पैकेज के कोनों पर वितरित होती हैं; तापमान में उतार-चढ़ाव और भौतिक कंपन के तहत, वे वेफर कोर की ओर अंदर की ओर फैल सकते हैं, जिससे धातु के इंटरकनेक्ट टूट सकते हैं। इसके अतिरिक्त, इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज (ईएसडी) के कारण होने वाले टूटने वाले बिंदु माइक्रोस्कोप के नीचे स्थानीयकृत सिलिकॉन पिघलने या निष्क्रियता परत के जलने के रूप में दिखाई देते हैं। यह सूक्ष्म भौतिक विकृति विश्लेषण प्रक्रिया इंजीनियरों को सटीक रूप से यह निर्धारित करने में मदद करता है कि विफलता कच्चे माल की उम्र बढ़ने या विनिर्माण प्रक्रिया के दौरान ईएसडी सुरक्षा में दोष के कारण है या नहीं।
डिवाइस जोखिमों को कम करने के लिए वैज्ञानिक डेटा और कठोर प्रक्रियाओं की आवश्यकता होती है। प्रत्येक सोल्डर जोड़ की विश्वसनीयता और प्रत्येक घटक की प्रामाणिकता सुनिश्चित करने के लिए, हम अपनी परीक्षण तकनीकों को लगातार उन्नत करते हैं और IQC आने वाले निरीक्षण से लेकर गहन विनाशकारी विश्लेषण तक एक मजबूत गुणवत्ता वाली रक्षा प्रणाली का निर्माण किया है।
नियोडेन के बारे में त्वरित तथ्य
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